表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780051740.6

申请日：

2007-12-28

公开(公告)号：

CN101611656A

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩马塞尔·希莫尔蒂莫·胡伊斯尔

申请人：

申请人地址：

荷兰代尔夫特

IPC主分类号：

H05H124

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

吴贵明;张英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-23	公开	公开
2012-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法 [P].

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩 ;

马塞尔·希莫尔 ;

蒂莫·胡伊斯尔 .

中国专利 :CN102892248A ,2013-01-23

[2]

电介质阻挡式等离子体产生装置以及电介质阻挡式等离子体产生装置的等离子体放电开始方法 [P].

平冈尊宏 ;

中村谦介 ;

鲛岛贵纪 .

中国专利 :CN114788416A ,2022-07-22

[3]

基于表面介质阻挡放电等离子体的食品杀菌装置及方法 [P].

常正实 ;

樊文硕 ;

张冠军 .

中国专利 :CN111328955A ,2020-06-26

[4]

表面等离子体透镜 [P].

文静 ;

钟阳万 ;

王康 ;

冯辉 ;

黄元申 ;

张大伟 .

中国专利 :CN105467479A ,2016-04-06

[5]

表面等离子体仪 [P].

阮银兰 ;

李震 ;

阮帅 ;

吉虹 .

中国专利 :CN212410446U ,2021-01-26

[6]

电介质阻挡式等离子体产生装置及等离子体放电开始方法 [P].

平冈尊宏 ;

中村谦介 ;

鲛岛贵纪 .

日本专利 :CN114788416B ,2025-09-12

[7]

水雾介质阻挡放电等离子体及表面处理装置 [P].

陈秉岩 ;

陈玉伟 ;

蒋永锋 ;

何湘 ;

朱昌平 ;

田泽 ;

甘育麟 .

中国专利 :CN108135067A ,2018-06-08

[8]

一种表面介质阻挡放电等离子体材料处理装置 [P].

底兰波 ;

张秀玲 ;

李壮 ;

段栋之 .

中国专利 :CN206674287U ,2017-11-24

[9]

多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置 [P].

李杰 ;

李喜 ;

谢宇彤 ;

章林文 ;

龙继东 ;

董攀 ;

蓝朝晖 ;

杨振 ;

王韬 ;

彭宇飞 ;

郑乐 ;

何佳龙 .

中国专利 :CN204014246U ,2014-12-10

[10]

介质阻挡放电等离子体喷流装置 [P].

卢新培 ;

潘垣 .

中国专利 :CN201167433Y ,2008-12-17

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