电介质阻挡式等离子体产生装置以及电介质阻挡式等离子体产生装置的等离子体放电开始方法

被引：0

申请号：

CN202180007023.3

申请日：

2021-01-18

公开(公告)号：

CN114788416A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

平冈尊宏中村谦介鲛岛贵纪

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H05H124

IPC分类号：

H01L213065 H01L2131 C23C16513

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

徐殿军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/24 申请日:20210118
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

电介质阻挡式等离子体产生装置及等离子体放电开始方法 [P].

平冈尊宏 ;

中村谦介 ;

鲛岛贵纪 .

日本专利 :CN114788416B ,2025-09-12

[2]

电介质阻挡放电式等离子体发生装置 [P].

中村谦介 ;

平冈尊宏 .

日本专利 :CN117480869A ,2024-01-30

[3]

等离子体产生装置以及等离子体产生方法 [P].

岩田卓也 ;

池户俊之 .

日本专利 :CN117596763A ,2024-02-23

[4]

等离子体产生装置及等离子体产生方法 [P].

熊谷裕典 ;

今井伸一 .

中国专利 :CN103429539A ,2013-12-04

[5]

表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法 [P].

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩 ;

马塞尔·希莫尔 ;

蒂莫·胡伊斯尔 .

中国专利 :CN102892248A ,2013-01-23

[6]

表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法 [P].

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩 ;

马塞尔·希莫尔 ;

蒂莫·胡伊斯尔 .

中国专利 :CN101611656A ,2009-12-23

[7]

多层介质阻挡放电低温等离子体产生装置 [P].

李杰 ;

李喜 ;

谢宇彤 ;

章林文 ;

龙继东 ;

董攀 ;

蓝朝晖 ;

杨振 ;

王韬 ;

彭宇飞 ;

郑乐 ;

何佳龙 .

中国专利 :CN204014246U ,2014-12-10

[8]

等离子体产生装置及等离子体处理装置 [P].

南光正平 .

日本专利 :CN119817178A ,2025-04-11

[9]

等离子体产生装置 [P].

山田幸香 ;

宫本诚 ;

竹之下一利 ;

寺尾芳孝 ;

平井伸岳 .

中国专利 :CN103988587A ,2014-08-13

[10]

等离子体产生装置 [P].

小山里美 ;

罗莉 ;

辰巳良昭 .

中国专利 :CN104938038A ,2015-09-23

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