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沟渠式功率电晶体及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910114813.6
申请日
:
2019-02-14
公开(公告)号
:
CN111564493A
公开(公告)日
:
2020-08-21
发明(设计)人
:
李柏贤
叶人豪
邱信谚
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹县
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L29423
H01L2906
H01L21336
代理机构
:
北京泰吉知识产权代理有限公司 11355
代理人
:
张雅军;史瞳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190214
2020-08-21
公开
公开
共 50 条
[1]
沟渠式功率电晶体及其制作方法
[P].
李柏贤
论文数:
0
引用数:
0
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0
李柏贤
;
叶人豪
论文数:
0
引用数:
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0
叶人豪
;
邱信谚
论文数:
0
引用数:
0
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0
邱信谚
.
中国专利
:CN111564412A
,2020-08-21
[2]
薄膜电晶体及其制作方法
[P].
谭志威
论文数:
0
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0
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0
谭志威
.
中国专利
:CN110085520A
,2019-08-02
[3]
功率电晶体及其制造方法
[P].
多梅尼科·罗维德
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
多梅尼科·罗维德
;
隆西斯瓦莱·切萨雷
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
隆西斯瓦莱·切萨雷
;
许晃宾
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
许晃宾
;
黄子豪
论文数:
0
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0
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0
机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
黄子豪
;
谢松颖
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
谢松颖
.
:CN120857545A
,2025-10-28
[4]
功率电晶体及其制造方法
[P].
多梅尼科·罗维德
论文数:
0
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机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
多梅尼科·罗维德
;
隆西斯瓦莱·切萨雷
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
隆西斯瓦莱·切萨雷
;
许晃宾
论文数:
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机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
许晃宾
;
黄子豪
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机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
黄子豪
;
谢松颖
论文数:
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机构:
先进半导体私人有限公司
先进半导体私人有限公司
谢松颖
.
:CN120857546A
,2025-10-28
[5]
光电晶体管及其制作方法
[P].
柯秋坛
论文数:
0
引用数:
0
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0
柯秋坛
.
中国专利
:CN111883598A
,2020-11-03
[6]
沟渠式功率半导体的制作方法
[P].
许修文
论文数:
0
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0
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许修文
.
中国专利
:CN101728266B
,2010-06-09
[7]
功率晶体管及其制作方法
[P].
沈健
论文数:
0
引用数:
0
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0
沈健
.
中国专利
:CN104409502A
,2015-03-11
[8]
低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法
[P].
谢朝桦
论文数:
0
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0
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谢朝桦
;
彭家鹏
论文数:
0
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0
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0
彭家鹏
.
中国专利
:CN1684248A
,2005-10-19
[9]
沟渠式半导体组件及其制作方法
[P].
林伟捷
论文数:
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0
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林伟捷
;
林礼政
论文数:
0
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0
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0
林礼政
.
中国专利
:CN102263105B
,2011-11-30
[10]
沟渠式金氧半导体结构及其制作方法
[P].
郭锦德
论文数:
0
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郭锦德
;
陈逸男
论文数:
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陈逸男
;
刘献文
论文数:
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刘献文
.
中国专利
:CN102820321A
,2012-12-12
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