沟渠式功率电晶体及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910114813.6
申请日
2019-02-14
公开(公告)号
CN111564493A
公开(公告)日
2020-08-21
发明(设计)人
李柏贤 叶人豪 邱信谚
申请人
申请人地址
中国台湾新竹县
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L29423 H01L2906 H01L21336
代理机构
北京泰吉知识产权代理有限公司 11355
代理人
张雅军;史瞳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
沟渠式功率电晶体及其制作方法 [P]. 
李柏贤 ;
叶人豪 ;
邱信谚 .
中国专利 :CN111564412A ,2020-08-21
[2]
薄膜电晶体及其制作方法 [P]. 
谭志威 .
中国专利 :CN110085520A ,2019-08-02
[3]
功率电晶体及其制造方法 [P]. 
多梅尼科·罗维德 ;
隆西斯瓦莱·切萨雷 ;
许晃宾 ;
黄子豪 ;
谢松颖 .
:CN120857545A ,2025-10-28
[4]
功率电晶体及其制造方法 [P]. 
多梅尼科·罗维德 ;
隆西斯瓦莱·切萨雷 ;
许晃宾 ;
黄子豪 ;
谢松颖 .
:CN120857546A ,2025-10-28
[5]
光电晶体管及其制作方法 [P]. 
柯秋坛 .
中国专利 :CN111883598A ,2020-11-03
[6]
沟渠式功率半导体的制作方法 [P]. 
许修文 .
中国专利 :CN101728266B ,2010-06-09
[7]
功率晶体管及其制作方法 [P]. 
沈健 .
中国专利 :CN104409502A ,2015-03-11
[8]
低温多晶硅薄膜电晶体基板及其制作方法 [P]. 
谢朝桦 ;
彭家鹏 .
中国专利 :CN1684248A ,2005-10-19
[9]
沟渠式半导体组件及其制作方法 [P]. 
林伟捷 ;
林礼政 .
中国专利 :CN102263105B ,2011-11-30
[10]
沟渠式金氧半导体结构及其制作方法 [P]. 
郭锦德 ;
陈逸男 ;
刘献文 .
中国专利 :CN102820321A ,2012-12-12