功率电晶体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511012268.1

申请日：

2025-07-22

公开(公告)号：

CN120857546A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

多梅尼科·罗维德隆西斯瓦莱·切萨雷许晃宾黄子豪谢松颖

申请人：

先进半导体私人有限公司

申请人地址：

新加坡048693菲利普街3号皇家集团大厦#10-04

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D62/10 H10D62/00

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

蔡馭理;杨明钊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250722

共 50 条

[1]

功率电晶体及其制造方法 [P].

多梅尼科·罗维德 ;

隆西斯瓦莱·切萨雷 ;

许晃宾 ;

黄子豪 ;

谢松颖 .

:CN120857545A ,2025-10-28

[2]

多栅极电晶体及其制造方法 [P].

林宏年 ;

林鸿志 ;

黄调元 .

中国专利 :CN101106159B ,2008-01-16

[3]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[4]

沟渠式功率电晶体及其制作方法 [P].

李柏贤 ;

叶人豪 ;

邱信谚 .

中国专利 :CN111564493A ,2020-08-21

[5]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

苏大荣 ;

高金字 ;

许嘉哲 .

中国专利 :CN101043006A ,2007-09-26

[6]

薄膜电晶体阵列及其制造方法 [P].

林惠芬 ;

黄国有 .

中国专利 :CN1591771A ,2005-03-09

[7]

包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法 [P].

蔡秀雨 ;

谢瑞龙 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

程慷果 .

中国专利 :CN103972236A ,2014-08-06

[8]

铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置 [P].

木岛健 ;

本多祐二 ;

饭塚大助 ;

秦健次郎 .

中国专利 :CN103456723A ,2013-12-18

[9]

压电晶体管及其制造方法 [P].

郑恩洙 .

中国专利 :CN101673753A ,2010-03-17

[10]

薄膜电晶体结构及其制造方法 [P].

谢信宏 ;

柯凯元 .

中国专利 :CN101562198A ,2009-10-21

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