铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210479358.8

申请日：

2012-11-22

公开(公告)号：

CN103456723A

公开(公告)日：

2013-12-18

发明(设计)人：

木岛健本多祐二饭塚大助秦健次郎

申请人：

申请人地址：

日本国千叶县

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2102 C04B3549

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101562723557 IPC(主分类):H01L 23/64 专利申请号:2012104793588 申请日:20121122
2013-12-18	公开	公开
2017-01-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101744749078 IPC(主分类):H01L 23/64 专利申请号:2012104793588 申请公布日:20131218

共 50 条

[1]

有机铁电晶体材料的制备方法以及有机铁电晶体材料 [P].

胡来归 ;

徐明升 ;

詹义强 ;

秦亚杰 .

中国专利 :CN113151902A ,2021-07-23

[2]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[3]

实时检测铁电晶体畴反转的装置 [P].

侯培培 ;

职亚楠 ;

孙建锋 ;

刘立人 .

中国专利 :CN102866129A ,2013-01-09

[4]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

陈坤宏 ;

叶光兆 .

中国专利 :CN1521839A ,2004-08-18

[5]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

苏大荣 ;

高金字 ;

许嘉哲 .

中国专利 :CN101043006A ,2007-09-26

[6]

功率电晶体及其制造方法 [P].

多梅尼科·罗维德 ;

隆西斯瓦莱·切萨雷 ;

许晃宾 ;

黄子豪 ;

谢松颖 .

:CN120857545A ,2025-10-28

[7]

功率电晶体及其制造方法 [P].

多梅尼科·罗维德 ;

隆西斯瓦莱·切萨雷 ;

许晃宾 ;

黄子豪 ;

谢松颖 .

:CN120857546A ,2025-10-28

[8]

一种铁电晶体材料的极化方法 [P].

范学东 ;

马传龙 ;

王海玲 ;

王宇飞 ;

马绍栋 ;

郑婉华 .

中国专利 :CN102122105A ,2011-07-13

[9]

铁电晶体结构的光谱检测装置及方法 [P].

何超 ;

龙西法 ;

苏彬 ;

许兰 .

中国专利 :CN111458315A ,2020-07-28

[10]

薄膜电晶体基板的制造方法 [P].

李懿庭 ;

王瀞雯 .

中国专利 :CN105990231B ,2016-10-05

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