薄膜电晶体基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510087468.3

申请日：

2015-02-25

公开(公告)号：

CN105990231B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

李懿庭王瀞雯

申请人：

申请人地址：

210038 江苏省南京市经济技术开发区恒飞路18号

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L23538 H01L2712

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

孙向民;肖冰滨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686679345 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:2015100874683 申请日:20150225
2016-10-05	公开	公开
2019-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜电晶体阵列基板的制造方法 [P].

陈宏德 .

中国专利 :CN1847962A ,2006-10-18

[2]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[3]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

陈坤宏 ;

叶光兆 .

中国专利 :CN1521839A ,2004-08-18

[4]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

苏大荣 ;

高金字 ;

许嘉哲 .

中国专利 :CN101043006A ,2007-09-26

[5]

薄膜电晶体阵列及其制造方法 [P].

林惠芬 ;

黄国有 .

中国专利 :CN1591771A ,2005-03-09

[6]

具有薄膜电晶体的基板及其修补方法 [P].

王健鸿 .

中国专利 :CN1266924C ,2004-10-13

[7]

薄膜电晶体结构及其制造方法 [P].

谢信宏 ;

柯凯元 .

中国专利 :CN101562198A ,2009-10-21

[8]

双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法 [P].

刘文雄 ;

何建国 ;

陈盈惠 .

中国专利 :CN1716632A ,2006-01-04

[9]

制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法 [P].

张锡明 ;

黄彦馀 .

中国专利 :CN106409686A ,2017-02-15

[10]

薄膜电晶体阵列及其修补方法 [P].

来汉中 .

中国专利 :CN1603926A ,2005-04-06

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