薄膜电晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03104253.8

申请日：

2003-01-31

公开(公告)号：

CN1521839A

公开(公告)日：

2004-08-18

发明(设计)人：

陈坤宏叶光兆

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21336 G02F1136

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周国城

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-07-05	授权	授权
2004-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-08-18	公开	公开
2023-02-17	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20030131 授权公告日:20060705

共 50 条

[1]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[2]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

苏大荣 ;

高金字 ;

许嘉哲 .

中国专利 :CN101043006A ,2007-09-26

[3]

薄膜电晶体基板的制造方法 [P].

李懿庭 ;

王瀞雯 .

中国专利 :CN105990231B ,2016-10-05

[4]

薄膜电晶体阵列基板的制造方法 [P].

陈宏德 .

中国专利 :CN1847962A ,2006-10-18

[5]

薄膜电晶体阵列及其制造方法 [P].

林惠芬 ;

黄国有 .

中国专利 :CN1591771A ,2005-03-09

[6]

薄膜电晶体结构及其制造方法 [P].

谢信宏 ;

柯凯元 .

中国专利 :CN101562198A ,2009-10-21

[7]

制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法 [P].

张锡明 ;

黄彦馀 .

中国专利 :CN106409686A ,2017-02-15

[8]

薄膜电晶体阵列及其修补方法 [P].

来汉中 .

中国专利 :CN1603926A ,2005-04-06

[9]

薄膜电晶体及其制作方法 [P].

谭志威 .

中国专利 :CN110085520A ,2019-08-02

[10]

双栅极薄膜电晶体与像素结构及其制造方法 [P].

刘文雄 ;

何建国 ;

陈盈惠 .

中国专利 :CN1716632A ,2006-01-04

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