薄膜电晶体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610065828.0

申请日：

2006-03-23

公开(公告)号：

CN101043006A

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

苏大荣高金字许嘉哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件序号:101183800479 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2006100658280 公开日:20070926 号牌文件类型代码:1602
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-09-26	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[2]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

陈坤宏 ;

叶光兆 .

中国专利 :CN1521839A ,2004-08-18

[3]

薄膜电晶体阵列基板的制造方法 [P].

陈宏德 .

中国专利 :CN1847962A ,2006-10-18

[4]

薄膜电晶体基板的制造方法 [P].

李懿庭 ;

王瀞雯 .

中国专利 :CN105990231B ,2016-10-05

[5]

薄膜电晶体阵列及其制造方法 [P].

林惠芬 ;

黄国有 .

中国专利 :CN1591771A ,2005-03-09

[6]

薄膜电晶体及其制作方法 [P].

谭志威 .

中国专利 :CN110085520A ,2019-08-02

[7]

低温多晶矽薄膜电晶体液晶显示器的制造方法 [P].

陈世龙 .

中国专利 :CN1530716A ,2004-09-22

[8]

制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法 [P].

张锡明 ;

黄彦馀 .

中国专利 :CN106409686A ,2017-02-15

[9]

有机电激发光的非晶硅薄膜电晶体的制造方法 [P].

萧调宏 .

中国专利 :CN100353511C ,2005-03-09

[10]

薄膜电晶体结构及其制造方法 [P].

谢信宏 ;

柯凯元 .

中国专利 :CN101562198A ,2009-10-21

← 1 2 3 4 5 →