排出喷嘴式涂敷法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410083384.4

申请日：

2004-10-08

公开(公告)号：

CN1310087C

公开(公告)日：

2005-04-13

发明(设计)人：

森尾公隆青木知三郎加藤哲也中岛哲矢

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G03F7023

IPC分类号：

G03F7039 G03F7004

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-11	授权	授权
2005-04-13	公开	公开
2005-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

森尾公隆 ;

加藤哲也 ;

中岛哲矢 .

中国专利 :CN1603954A ,2005-04-06

[2]

排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

森尾公隆 ;

青木知三郎 ;

加藤哲也 ;

中岛哲矢 .

中国专利 :CN1282035C ,2004-12-01

[3]

排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图的形成方法 [P].

森尾公隆 ;

青木知三郎 ;

加藤哲也 ;

中岛哲矢 .

中国专利 :CN1313882C ,2004-10-13

[4]

正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

森尾公隆 ;

青木知三郎 ;

加藤哲也 ;

中岛哲矢 .

中国专利 :CN1324401C ,2004-09-01

[5]

LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图形的形成方法 [P].

大内康秀 ;

中山一彦 ;

丸山健治 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1519648A ,2004-08-11

[6]

正型抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法 [P].

染谷和也 ;

山口敏弘 ;

青木知三郎 .

中国专利 :CN102650830B ,2012-08-29

[7]

化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

秀坂慎一 ;

栗原政树 ;

中川裕介 ;

馆俊聪 .

中国专利 :CN1573551A ,2005-02-02

[8]

正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法 [P].

馆俊聪 ;

中山一彦 ;

土井宏介 .

中国专利 :CN1484095A ,2004-03-24

[9]

系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法 [P].

土井宏介 ;

新仓聪 ;

大内康秀 .

中国专利 :CN1300636C ,2005-02-02

[10]

正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法 [P].

久保敦子 ;

大内康秀 ;

宫城贤 .

中国专利 :CN1235090C ,2004-01-21

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