磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880002807.1

申请日：

2008-10-30

公开(公告)号：

CN101595240B

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

远藤彻哉 E·N·阿巴拉

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

张涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	授权	授权
2009-12-02	公开	公开
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

磁控管以及磁控管溅射设备 [P].

李宰承 ;

西门瑄 ;

吴永泽 ;

刘云锺 .

中国专利 :CN103882394B ,2014-06-25

[2]

磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 [P].

太田淳 ;

田口信一郎 ;

杉浦功 ;

谷典明 ;

新井真 ;

清田淳也 .

中国专利 :CN1965101A ,2007-05-16

[3]

磁控管溅射设备 [P].

H.罗尔曼 ;

M.杜布斯 .

中国专利 :CN103109344A ,2013-05-15

[4]

磁控管溅射 [P].

史蒂文·罗伯特·伯吉斯 ;

卡斯藤·乔更斯 .

中国专利 :CN1436361A ,2003-08-13

[5]

磁控管阴极和包括这种磁控管阴极的磁控管溅射装置 [P].

瑟吉·Y·纳瓦拉 ;

尤里·N·托尔马彻夫 ;

马东俊 ;

金泰完 .

中国专利 :CN1525519A ,2004-09-01

[6]

磁控管溅射用磁体构件和阴极单元以及磁控管溅射装置 [P].

近藤隆彦 ;

堀崇展 ;

岩崎安邦 ;

米山信夫 .

中国专利 :CN101080510B ,2007-11-28

[7]

溅射磁控管 [P].

安德里亚斯·鲁普 ;

曼弗雷德·鲁斯克 .

中国专利 :CN101203935A ,2008-06-18

[8]

磁控管以及磁控管的制造方法 [P].

村尾则行 ;

三木一树 ;

长谷川节雄 ;

中井聪 ;

冈田则幸 .

中国专利 :CN1219311C ,2003-08-13

[9]

磁控管溅射阴极 [P].

J·克雷姆佩尔-赫泽 ;

A·吉施克 ;

U·许斯勒 ;

H·沃尔夫 .

中国专利 :CN1795531B ,2006-06-28

[10]

磁控管溅射装置 [P].

横山政秀 ;

早田博 .

中国专利 :CN1067118C ,1996-04-17

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