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半导体结构及其形成方法及标准单元结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810614521.4
申请日：
2018-06-14
公开(公告)号：
CN109585413A
公开(公告)日：
2019-04-05
发明(设计)人：
林威呈 庄正吉 陈志良 杨超源 杨惠婷 赖韦安
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号：
H01L23522
IPC分类号：
H01L23528 H01L21768
代理机构：
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人：
顾伯兴
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-04-05 公开 公开
2019-04-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20180614
共 50 条
[1]
标准单元电路版图及半导体结构 [P]. 
许世峰 .
中国专利 :CN118507476A ,2024-08-16
[2]
半导体结构单元及其形成方法、半导体结构 [P]. 
郁扬 ;
谢国林 ;
苏俊英 .
中国专利 :CN120614877A ,2025-09-09
[3]
半导体标准单元结构、半导体结构和存储器 [P]. 
路兴香 .
中国专利 :CN118712190A ,2024-09-27
[4]
半导体标准单元结构、半导体结构和存储器 [P]. 
路兴香 .
中国专利 :CN118712190B ,2025-10-28
[5]
标准单元版图模板以及半导体结构 [P]. 
汪配焕 .
中国专利 :CN112992892B ,2021-06-18
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
段航 ;
杨鹏飞 ;
杨柯娜 .
中国专利 :CN117423742A ,2024-01-19
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111223779A ,2020-06-02
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN113838933A ,2021-12-24
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN114188412A ,2022-03-15
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
景友亮 .
中国专利 :CN113764279A ,2021-12-07
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