半导体集成电路的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98118562.2

申请日：

1998-09-03

公开(公告)号：

CN1134059C

公开(公告)日：

1999-06-30

发明(设计)人：

国清辰也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2176

IPC分类号：

H01L2131 H01L21768

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;叶恺东

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-02-17	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-01-07	授权	授权
1999-06-30	公开	公开
2009-11-04	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 [P].

和气美和 ;

吉田宜史 .

中国专利 :CN1433065A ,2003-07-30

[2]

制造半导体集成电路的方法及由此制造的半导体集成电路 [P].

李相殷 ;

宋润洽 .

中国专利 :CN1536650A ,2004-10-13

[3]

半导体集成电路器件的制造方法 [P].

宫崎周司 .

中国专利 :CN1256513A ,2000-06-14

[4]

半导体集成电路的制造方法 [P].

川越纮人 ;

白须辰美 ;

清田省吾 ;

铃木范夫 ;

山田荣一 ;

杉野雄史 ;

北野学 ;

桜井义彦 ;

长沼孝 ;

荒川久 .

中国专利 :CN1110073C ,1996-05-01

[5]

制造半导体集成电路的方法 [P].

菅野道博 .

中国专利 :CN100481394C ,2006-08-30

[6]

半导体集成电路的制造方法 [P].

畑田明良 ;

片上朗 ;

田村直义 ;

岛宗洋介 ;

岛昌司 ;

大田裕之 .

中国专利 :CN101777516B ,2010-07-14

[7]

制造半导体集成电路的方法 [P].

吉田宜史 ;

和气美和 .

中国专利 :CN1322576C ,2003-04-09

[8]

半导体集成电路制造的方法 [P].

梁铭彰 ;

林其渊 ;

吴燿光 .

中国专利 :CN103578953B ,2014-02-12

[9]

半导体集成电路制造的方法 [P].

解子颜 ;

张铭庆 ;

黄渊圣 ;

戴铭家 ;

陈昭成 .

中国专利 :CN103426821B ,2013-12-04

[10]

半导体集成电路及半导体集成电路的制造方法 [P].

宫城弘 .

中国专利 :CN1666410A ,2005-09-07

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