半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN94102771.6

申请日：

1994-02-03

公开(公告)号：

CN1095859A

公开(公告)日：

1994-11-30

发明(设计)人：

高山彻张宏勇山崎舜平竹村保彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

C30B3500

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒;王忠忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581197851 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL941027716 申请日:19940203 授权公告日:20000517 终止日期:20130203
1994-11-30	公开	公开
2000-05-17	授权	授权
1996-05-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1255742A ,2000-06-07

[2]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1255732A ,2000-06-07

[3]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1316769A ,2001-10-10

[4]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100416750C ,2001-10-10

[5]

半导体装置和半导体制造工艺 [P].

庄淳钧 ;

戴暐航 ;

庄滨豪 .

中国专利 :CN107910321B ,2018-04-13

[6]

半导体制造工艺 [P].

李铿尧 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN102456542A ,2012-05-16

[7]

半导体器件制造工艺和半导体器件 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105097466A ,2015-11-25

[8]

半导体制造装置以及半导体制造工艺罐 [P].

李昭荣 ;

金贤洙 ;

孙沂周 ;

李根泽 ;

洪琮沅 .

中国专利 :CN107342246A ,2017-11-10

[9]

半导体器件及其制造方法和半导体器件制造工艺评价方法 [P].

清水和宏 .

中国专利 :CN1306586C ,2005-02-02

[10]

半导体制造工艺及半导体结构 [P].

思尔希喜亚姆 ;

海内克劳尔思 .

中国专利 :CN103426825B ,2013-12-04

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