半导体装置和半导体制造工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710073319.0

申请日：

2017-02-10

公开(公告)号：

CN107910321B

公开(公告)日：

2018-04-13

发明(设计)人：

庄淳钧戴暐航庄滨豪

申请人：

申请人地址：

中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号邮编81170

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

H01L23488 H01L2160 H01L2198

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

萧辅宽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	公开	公开
2019-08-30	授权	授权
2018-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20170210

共 50 条

[1]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN100416750C ,2001-10-10

[2]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1255742A ,2000-06-07

[3]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1095859A ,1994-11-30

[4]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1316769A ,2001-10-10

[5]

半导体制造工艺和半导体器件制造工艺 [P].

高山彻 ;

张宏勇 ;

山崎舜平 ;

竹村保彦 .

中国专利 :CN1255732A ,2000-06-07

[6]

半导体制造装置以及半导体制造工艺罐 [P].

李昭荣 ;

金贤洙 ;

孙沂周 ;

李根泽 ;

洪琮沅 .

中国专利 :CN107342246A ,2017-11-10

[7]

半导体制造工艺、半导体装置和衬底处理装置 [P].

朴相万 ;

李圣光 ;

成泳勋 ;

尹汉洲 ;

金日宁 ;

金泰完 ;

金仁会 ;

权钟完 ;

徐政业 .

韩国专利 :CN120048737A ,2025-05-27

[8]

半导体制造工艺 [P].

李铿尧 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN102456542A ,2012-05-16

[9]

半导体制造工艺及半导体结构 [P].

思尔希喜亚姆 ;

海内克劳尔思 .

中国专利 :CN103426825B ,2013-12-04

[10]

半导体制造装置和半导体制造方法 [P].

冈部庸之 ;

金子健吾 .

中国专利 :CN100462887C ,2006-03-22

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