苯并咔唑插层水滑石复合发光材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810227218.5

申请日：

2008-11-25

公开(公告)号：

CN101440281A

公开(公告)日：

2009-05-27

发明(设计)人：

陆军闫东鹏卫敏段雪

申请人：

申请人地址：

100029北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

C09K1106

IPC分类号：

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

朱琨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2014-01-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101563322170 IPC(主分类):C09K 11/06 专利号:ZL2008102272185 申请日:20081125 授权公告日:20111123 终止日期:20121125
2009-05-27	公开	公开
2011-11-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种荧光增白剂CBS插层水滑石复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

闫东鹏 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101775281B ,2010-07-14

[2]

4-羟基香豆素插层水滑石蓝光复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

李震 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN102786927A ,2012-11-21

[3]

罗丹明插层水滑石发光材料的制备方法 [P].

卫敏 ;

闫东鹏 ;

陆军 ;

段雪 .

中国专利 :CN101255334A ,2008-09-03

[4]

三（8-羟基喹啉-5-磺酸根）合铝配阴离子插层水滑石复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

李双德 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101768435B ,2010-07-07

[5]

8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料 [P].

陆军 ;

党思乐 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN102127425A ,2011-07-20

[6]

新型Dawson多酸插层水滑石复合材料及其制备方法 [P].

宋宇飞 ;

张洁 ;

赵燊 ;

徐军华 .

中国专利 :CN101549288B ,2009-10-07

[7]

磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜及其制备方法 [P].

陆军 ;

闫东鹏 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101560386A ,2009-10-21

[8]

一种防污分子插层水滑石复合材料及其制备方法 [P].

孙智勇 ;

蔺存国 ;

郑纪勇 .

中国专利 :CN104140704B ,2014-11-12

[9]

多酸插层水滑石催化材料及其制备方法 [P].

宋宇飞 ;

贾岳清 .

中国专利 :CN104841487A ,2015-08-19

[10]

一种光泽精阳离子与水滑石复合发光薄膜及其制备方法 [P].

陆军 ;

闫东鹏 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101649198B ,2010-02-17

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