三（8-羟基喹啉-5-磺酸根）合铝配阴离子插层水滑石复合发光材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910217552.7

申请日：

2009-12-31

公开(公告)号：

CN101768435B

公开(公告)日：

2010-07-07

发明(设计)人：

陆军李双德卫敏段雪

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号

IPC主分类号：

C09K1106

IPC分类号：

代理机构：

北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108

代理人：

张韬;张洪年

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005579782 IPC(主分类):C09K 11/06 专利申请号:2009102175527 申请日:20091231
2012-08-22	授权	授权
2010-07-07	公开	公开
2022-12-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/06 申请日:20091231 授权公告日:20120822 终止日期:20211231

共 48 条

[1]

8-羟基-1,3,6-三磺酸基芘阴离子和辛烷磺酸根阴离子共插层水滑石复合发光材料 [P].

陆军 ;

党思乐 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN102127425A ,2011-07-20

[2]

8-羟基喹啉铝绿色复合发光材料及其制备方法 [P].

周明杰 ;

马文波 ;

陆树新 .

中国专利 :CN101792663A ,2010-08-04

[3]

苯并咔唑插层水滑石复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

闫东鹏 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101440281A ,2009-05-27

[4]

4-羟基香豆素插层水滑石蓝光复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

李震 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN102786927A ,2012-11-21

[5]

8－羟基喹啉铝/氧化硅复合发光材料的制备方法 [P].

曾洪宇 ;

施剑林 .

中国专利 :CN1803971A ,2006-07-19

[6]

一种荧光增白剂CBS插层水滑石复合发光材料及其制备方法 [P].

陆军 ;

闫东鹏 ;

卫敏 ;

段雪 .

中国专利 :CN101775281B ,2010-07-14

[7]

一种聚合物包裹双（8-羟基喹啉）锌配合物胶束与水滑石复合发光薄膜及其制备方法 [P].

陆军 ;

李双德 ;

段雪 .

中国专利 :CN102660256B ,2012-09-12

[8]

一种8-羟基喹啉铝/锌金属有机框架复合发光材料的制备方法 [P].

李玲 ;

邹吉勇 ;

游胜勇 ;

谌开红 .

中国专利 :CN109627214A ,2019-04-16

[9]

席夫碱合钯阴离子插层水滑石及其制备方法与应用 [P].

施炜 ;

俞静波 ;

苏为科 .

中国专利 :CN106391126A ,2017-02-15

[10]

基于5-取代8-羟基喹啉铕配合物红光材料及制备方法 [P].

谢鹏波 ;

袁宁宁 ;

李善吉 ;

欧阳英 .

中国专利 :CN108424767A ,2018-08-21

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