无定形导电性氧化物膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280056688.4

申请日：

2012-11-15

公开(公告)号：

CN103946930B

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

下田达也李金望

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

C01G5500 H01B108 H01B120 H01B502 H01L29786

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

孔青;李炳爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-23	公开	公开
2018-11-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20121115 授权公告日:20161012 终止日期:20171115
2016-10-12	授权	授权
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584547202 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2012800566884 申请日:20121115
2016-10-12	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740151147 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2012800566884 变更事项:申请人变更前:独立行政法人科学技术振兴机构变更后:国立研究开发法人科学技术振兴机构变更事项:地址变更前:日本埼玉县变更后:日本埼玉县

共 50 条

[1]

形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用 [P].

J·毛拉 .

中国专利 :CN102666914B ,2012-09-12

[2]

用于形成非晶体导电性氧化物膜的前体组合物和方法 [P].

下田达也 ;

李金望 .

中国专利 :CN102971807A ,2013-03-13

[3]

导电性膜的形成方法 [P].

下田达也 ;

李金望 .

中国专利 :CN104160456B ,2014-11-19

[4]

导电性组合物、导电性覆膜和导电性覆膜的形成方法 [P].

高桥克彦 ;

大森喜和子 ;

远藤正德 ;

安原光 ;

小野朗伸 ;

今井隆之 ;

黑泽幸彦 ;

在间弘朗 .

中国专利 :CN100428368C ,2005-04-20

[5]

导电性组合物、导电性覆膜和导电性覆膜的形成方法 [P].

高桥克彦 ;

大森喜和子 ;

远藤正德 ;

安原光 ;

今井隆之 ;

小野朗伸 ;

本多俊之 ;

冈本航司 ;

伊藤雅史 .

中国专利 :CN1646633A ,2005-07-27

[6]

带透明导电性氧化物膜的基体 [P].

东诚二 ;

增茂邦雄 .

中国专利 :CN103296101A ,2013-09-11

[7]

氧化物膜形成方法 [P].

龟田直人 ;

三浦敏德 .

中国专利 :CN111902564A ,2020-11-06

[8]

透明导电性金属氧化物膜与太阳能电池的形成方法 [P].

林锦华 ;

锺源勇 ;

黄永清 ;

王文华 .

中国专利 :CN1933191A ,2007-03-21

[9]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105779940A ,2016-07-20

[10]

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 [P].

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

津吹将志 ;

石原典隆 ;

太田将志 .

中国专利 :CN105734493B ,2016-07-06

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