用于形成非晶体导电性氧化物膜的前体组合物和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180034573.0

申请日：

2011-07-08

公开(公告)号：

CN102971807A

公开(公告)日：

2013-03-13

发明(设计)人：

下田达也李金望

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

C01G5500 H01B514 H01L2128 H01L21288 H01L21336 H01L29786

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

庞立志;孟慧岚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	授权	授权
2013-03-13	公开	公开
2013-04-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101433993206 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2011800345730 申请日:20110708
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20110708 授权公告日:20161109 终止日期:20180708
2016-11-16	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741682149 IPC(主分类):H01B 13/00 专利号:ZL2011800345730 变更事项:专利权人变更前:独立行政法人科学技术振兴机构变更后:国立研究开发法人科学技术振兴机构变更事项:地址变更前:日本埼玉县变更后:日本埼玉县

共 50 条

[1]

无定形导电性氧化物膜的形成方法 [P].

下田达也 ;

李金望 .

中国专利 :CN103946930B ,2014-07-23

[2]

形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用 [P].

J·毛拉 .

中国专利 :CN102666914B ,2012-09-12

[3]

导电性层叠体及金属氧化物组合物 [P].

清野数马 .

中国专利 :CN107051848A ,2017-08-18

[4]

带透明导电性氧化物膜的基体 [P].

东诚二 ;

增茂邦雄 .

中国专利 :CN103296101A ,2013-09-11

[5]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[6]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[7]

用于形成导电透明氧化物膜层的设备和方法 [P].

S·D·费尔德曼-皮博迪 ;

R·W·布莱克 .

中国专利 :CN102312194A ,2012-01-11

[8]

导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜 [P].

宫永美纪 ;

曾我部浩一 ;

粟田英章 ;

冈田浩 ;

吉村雅司 .

中国专利 :CN103608310B ,2014-02-26

[9]

形成氧化物膜的方法和氧化物沉积设备 [P].

李振镐 ;

韩泳基 ;

郭在灿 .

中国专利 :CN101050523A ,2007-10-10

[10]

导电性氧化物烧结体及其制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN103748055A ,2014-04-23

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