导电性氧化物烧结体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380002734.7

申请日：

2013-01-21

公开(公告)号：

CN103748055A

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

奈良淳史

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C04B35453

IPC分类号：

C23C1434 H01B514 H01B108

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	公开	公开
2015-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101612400960 IPC(主分类):C04B 35/453 专利申请号:2013800027347 申请日:20130121
2017-10-13	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[2]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[3]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和高折射率的导电性氧化物薄膜、以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN104736497B ,2015-06-24

[4]

氧化物烧结体、溅射靶材、透明导电性薄膜及其制造方法 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN1690011A ,2005-11-02

[5]

形成导电性氧化物膜的方法、导电性氧化物膜及其应用 [P].

J·毛拉 .

中国专利 :CN102666914B ,2012-09-12

[6]

气体传感器用导电性氧化物烧结体、导电性氧化物烧结体、布线基板以及气体传感器 [P].

佐藤未那 ;

广濑吉进 ;

清家晃 ;

小塚久司 ;

冲村康之 ;

大林和重 .

中国专利 :CN107731339B ,2018-02-23

[7]

导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜 [P].

宫永美纪 ;

曾我部浩一 ;

粟田英章 ;

冈田浩 ;

吉村雅司 .

中国专利 :CN103608310B ,2014-02-26

[8]

导电性氧化物烧结体、导电用构件和气体传感器 [P].

小塚久司 ;

佐藤未那 ;

冲村康之 ;

大林和重 .

中国专利 :CN107614462B ,2018-01-19

[9]

透光性稀土氧化物烧结体及其制造方法 [P].

藤田光广 ;

入江正树 .

中国专利 :CN1958512A ,2007-05-09

[10]

氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105986230A ,2016-10-05

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