氧化物烧结体、溅射靶材、透明导电性薄膜及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510066653.0

申请日：

2005-04-26

公开(公告)号：

CN1690011A

公开(公告)日：

2005-11-02

发明(设计)人：

阿部能之中山德行小原刚和气理一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫;颜薇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-23	授权	授权
2005-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

复合氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P].

仓持豪人 ;

饭草仁志 ;

涩田见哲夫 .

中国专利 :CN103140454A ,2013-06-05

[2]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[3]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

[4]

氧化物烧结体及其制造方法以及溅射靶材 [P].

深川功児 .

日本专利 :CN117529574A ,2024-02-06

[5]

钼氧化物烧结体、溅射靶材及氧化物薄膜 [P].

张逢中 ;

朴宰成 ;

李孝元 ;

李丞苡 ;

黃炳辰 ;

朴相容 ;

尹垠燮 ;

秦承铉 ;

杨丞浩 .

韩国专利 :CN119137085A ,2024-12-13

[6]

复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

饭草仁志 ;

秋池良 ;

涉田见哲夫 .

中国专利 :CN103987678B ,2014-08-13

[7]

氧化物烧结体及溅射靶材 [P].

宇都野太 ;

井上一吉 ;

川岛浩和 ;

笠见雅司 ;

矢野公规 ;

寺井恒太 .

中国专利 :CN102159517B ,2011-08-17

[8]

氧化物烧结体及其制造方法,以及溅射靶及透明导电膜 [P].

森中泰三 ;

尾野直纪 .

中国专利 :CN1990422A ,2007-07-04

[9]

氧化物烧结体溅射靶及其制造方法 [P].

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 ;

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 .

中国专利 :CN108350564A ,2018-07-31

[10]

氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、氧化物透明导电膜及其制造方法、和太阳能电池 [P].

仓持豪人 ;

松丸庆太郎 ;

秋池良 ;

内海健太郎 ;

涩田见哲夫 .

中国专利 :CN103237773B ,2013-08-07

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