氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、氧化物透明导电膜及其制造方法、和太阳能电池

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180057433.5

申请日：

2011-09-27

公开(公告)号：

CN103237773B

公开(公告)日：

2013-08-07

发明(设计)人：

仓持豪人松丸庆太郎秋池良内海健太郎涩田见哲夫

申请人：

申请人地址：

日本山口县

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C04B3500 H01B108 H01B514 H01B1300

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101514733325 IPC(主分类):C04B 35/00 专利申请号:2011800574335 申请日:20110927
2014-07-30	授权	授权
2013-08-07	公开	公开

共 50 条

[1]

复合氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶材、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P].

仓持豪人 ;

饭草仁志 ;

涩田见哲夫 .

中国专利 :CN103140454A ,2013-06-05

[2]

复合氧化物烧结体、溅射靶、以及氧化物透明导电膜及其制造方法 [P].

仓持豪人 ;

玉野公章 ;

饭草仁志 ;

秋池良 ;

涉田见哲夫 .

中国专利 :CN103987678B ,2014-08-13

[3]

氧化物烧结体及其制造方法,以及溅射靶及透明导电膜 [P].

森中泰三 ;

尾野直纪 .

中国专利 :CN1990422A ,2007-07-04

[4]

氧化物烧结体及其制造方法以及溅射靶材 [P].

深川功児 .

日本专利 :CN117529574A ,2024-02-06

[5]

氧化物烧结体溅射靶及其制造方法 [P].

高桥一寿 ;

日高浩二 ;

川越裕 ;

武末健太郎 ;

和田优 ;

上野充 ;

清田淳也 ;

小林大士 ;

武井应树 .

中国专利 :CN108350564A ,2018-07-31

[6]

氧化物烧结体、溅射靶材、透明导电性薄膜及其制造方法 [P].

阿部能之 ;

中山德行 ;

小原刚 ;

和气理一郎 .

中国专利 :CN1690011A ,2005-11-02

[7]

氧化物烧结体和溅射靶、及其制造方法 [P].

田尾幸树 ;

中根靖夫 ;

畠英雄 .

中国专利 :CN109071361B ,2018-12-21

[8]

氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105986230A ,2016-10-05

[9]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN105481352A ,2016-04-13

[10]

氧化物烧结体、氧化物溅射靶和导电性氧化物薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 [P].

奈良淳史 .

中国专利 :CN109437856A ,2019-03-08

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