半导体基板的蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380059364.0

申请日：

2013-11-14

公开(公告)号：

CN104781915A

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

上村哲也室祐继稻叶正

申请人：

申请人地址：

日本东京港区西麻布二丁目26番30号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21306 H01L21768

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620065339 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2013800593640 申请日:20131114
2015-07-15	公开	公开
2020-01-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/308 申请公布日:20150715

共 50 条

[1]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

西胁良典 ;

上村哲也 ;

稲叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104813451A ,2015-07-29

[2]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

室祐継 ;

上村哲也 ;

稻叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104781914A ,2015-07-15

[3]

蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

上村哲也 ;

朴起永 ;

室祐継 ;

稲叶正 .

中国专利 :CN104737277B ,2015-06-24

[4]

蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体基板产品的制造方法 [P].

水谷笃史 ;

上村哲也 .

中国专利 :CN106062934A ,2016-10-26

[5]

半导体基板的蚀刻方法以及蚀刻液 [P].

平野勋 ;

斋藤弘国 .

中国专利 :CN113808932A ,2021-12-17

[6]

蚀刻方法，以及制造半导体基板产品的方法和使用所述半导体基板产品的半导体器件，以及用于制备蚀刻液的套件 [P].

上村哲也 ;

稻叶正 ;

室祐继 ;

西脇良典 .

中国专利 :CN104412371A ,2015-03-11

[7]

蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 [P].

细见彰良 ;

大前健祐 .

中国专利 :CN102687251A ,2012-09-19

[8]

蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法 [P].

细见彰良 .

中国专利 :CN102696097A ,2012-09-26

[9]

蚀刻用水性组合物、使用其的蚀刻方法及半导体基板的制造方法 [P].

本望圭纮 ;

尾家俊行 .

日本专利 :CN120129771A ,2025-06-10

[10]

蚀刻方法和半导体元件的制造方法 [P].

松井一真 .

中国专利 :CN113906541A ,2022-01-07

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