半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380059067.6

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN104781914A

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

室祐継上村哲也稻叶正水谷笃史

申请人：

申请人地址：

日本东京港区西麻布二丁目26番30号

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L21306 H01L21768

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马爽;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-25	授权	授权
2015-07-15	公开	公开
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620067788 IPC(主分类):H01L 21/308 专利申请号:2013800590676 申请日:20131112

共 50 条

[1]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

西胁良典 ;

上村哲也 ;

稲叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104813451A ,2015-07-29

[2]

半导体基板的蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

上村哲也 ;

室祐继 ;

稻叶正 .

中国专利 :CN104781915A ,2015-07-15

[3]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[4]

半导体元件的制造方法及半导体基板 [P].

荻原光彦 .

中国专利 :CN112740359B ,2021-04-30

[5]

半导体元件的制造方法及半导体基板 [P].

荻原光彦 .

日本专利 :CN113690184B ,2024-11-12

[6]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[7]

蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

上村哲也 ;

朴起永 ;

室祐継 ;

稲叶正 .

中国专利 :CN104737277B ,2015-06-24

[8]

蚀刻方法，以及制造半导体基板产品的方法和使用所述半导体基板产品的半导体器件，以及用于制备蚀刻液的套件 [P].

上村哲也 ;

稻叶正 ;

室祐继 ;

西脇良典 .

中国专利 :CN104412371A ,2015-03-11

[9]

半导体基板清洗用组合物、半导体基板的清洗方法、及半导体基板的制造方法 [P].

河合隆一郎 ;

窟江宏彰 ;

茂田麻里 ;

岛田宪司 .

日本专利 :CN119452454A ,2025-02-14

[10]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

← 1 2 3 4 5 →