半导体元件的制造方法及半导体基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980060356.5

申请日：

2019-08-19

公开(公告)号：

CN112740359B

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

荻原光彦

申请人：

申请人地址：

日本东京八王子市别所1丁目42番地1、1-310

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨贝贝;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	公开	公开
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190819
2022-07-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件的制造方法及半导体基板 [P].

荻原光彦 .

日本专利 :CN113690184B ,2024-11-12

[2]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[3]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[4]

半导体基板及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165072A ,2016-11-23

[5]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

柳川吉明 .

日本专利 :CN120937137A ,2025-11-11

[6]

半导体元件、及半导体元件的制造方法 [P].

北武司 ;

东和司 .

中国专利 :CN101546734A ,2009-09-30

[7]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

百田圣自 ;

藤井岳志 ;

上岛聪 ;

浅井诚 .

中国专利 :CN102163623A ,2011-08-24

[8]

半导体元件及半导体元件的制造方法 [P].

绵谷力 .

日本专利 :CN118715602A ,2024-09-27

[9]

半导体元件、半导体基板及半导体元件制作方法 [P].

林文斌 .

中国专利 :CN110838516A ,2020-02-25

[10]

半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法 [P].

西胁良典 ;

上村哲也 ;

稲叶正 ;

水谷笃史 .

中国专利 :CN104813451A ,2015-07-29

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