半导体功率器件终端结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911031014.9

申请日：

2019-10-28

公开(公告)号：

CN112736123A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

龚轶刘磊刘伟袁愿林

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

孟金喆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20191028
2021-04-30	公开	公开
2022-03-01	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20210430

共 50 条

[1]

半导体功率器件终端结构 [P].

龚轶 ;

刘磊 ;

刘伟 ;

王鑫 .

中国专利 :CN112802888A ,2021-05-14

[2]

一种功率半导体器件终端结构及功率半导体器件 [P].

张中华 ;

刘根 ;

方自力 ;

韩永乐 ;

王光明 ;

苗笑宇 .

中国专利 :CN106992207A ,2017-07-28

[3]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15

[4]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04

[5]

半导体功率器件的终端结构、半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063159A ,2018-05-22

[6]

沟槽型半导体功率器件及其终端保护结构 [P].

丁磊 ;

侯宏伟 .

中国专利 :CN203055918U ,2013-07-10

[7]

一种功率半导体器件的终端结构 [P].

任敏 ;

李佳驹 ;

苏志恒 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN107425054A ,2017-12-01

[8]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10

[9]

一种半导体功率器件的终端结构 [P].

冯全源 ;

陈晓培 .

中国专利 :CN104022146A ,2014-09-03

[10]

半导体功率器件的终端结构及其制备方法 [P].

孙博韬 ;

张园览 ;

张志朋 .

中国专利 :CN119364827A ,2025-01-24

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