一种硅光电倍增管型耐辐照探头

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922451200.X

申请日：

2019-12-31

公开(公告)号：

CN212060591U

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

冯东山花锋李鹏刘进辉任敏

申请人：

申请人地址：

710061 陕西省西安市雁塔区小寨东路108号

IPC主分类号：

G01T120

IPC分类号：

G01T1203 G01T1208 G21F300

代理机构：

西安创知专利事务所 61213

代理人：

谭文琰

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01T 1/20 变更事项:专利权人变更前:西安中核核仪器有限公司变更后:西安中核核仪器股份有限公司变更事项:地址变更前:710061 陕西省西安市雁塔区小寨东路108号变更后:710061 陕西省西安市雁塔区小寨东路108号
2020-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种光电倍增管型耐辐照探头 [P].

冯东山 ;

花锋 ;

刘进辉 ;

任敏 ;

陈春峰 .

中国专利 :CN211528704U ,2020-09-18

[2]

一种硅光电倍增管 [P].

刘鸿飞 ;

张毅宁 .

中国专利 :CN207602514U ,2018-07-10

[3]

光电倍增管计数信号处理电路及光电倍增管计数设备 [P].

李运奇 ;

张传国 ;

胡启明 ;

温海斤 .

中国专利 :CN223141910U ,2025-07-22

[4]

一种光电二极管型耐辐照探头 [P].

冯东山 ;

花锋 ;

陈春峰 ;

高新占 ;

李朝辉 .

中国专利 :CN212060593U ,2020-12-01

[5]

一种硅光电倍增管模块 [P].

邢伟奇 ;

胡浩 .

中国专利 :CN117387666A ,2024-01-12

[6]

磁性硬硅光电倍增管 [P].

V·舒尔茨 .

中国专利 :CN101910868A ,2010-12-08

[7]

一种新型硅光电倍增管封装结构 [P].

刘智慧 .

中国专利 :CN220753363U ,2024-04-09

[8]

一种硅光电倍增管探测器 [P].

刘小平 ;

李景涛 ;

宋山山 ;

严李李 ;

牛绍龙 ;

李海慧 .

中国专利 :CN218037367U ,2022-12-13

[9]

半导体器件及硅光电倍增管 [P].

布莱恩·帕特里克·麦加维 .

中国专利 :CN213716903U ,2021-07-16

[10]

一种数字硅光电倍增管 [P].

王夏宇 ;

楚泽坤 ;

张永铂 ;

马瑞 .

中国专利 :CN114624680B ,2025-02-18

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