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半导体器件的制作方法与半导体器件

被引：0
申请号：
CN202210642620.X
申请日：
2022-06-08
公开(公告)号：
CN115064549A
公开(公告)日：
2022-09-16
发明(设计)人：
吴林春 张坤 沈叮叮 韩玉辉 周文犀
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H01L271157
IPC分类号：
H01L2711578
代理机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人：
霍文娟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-09-16 公开 公开
2022-10-04 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20220608
共 50 条
[1]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
吴双双 ;
张坤 ;
吴林春 .
中国专利 :CN114335001A ,2022-04-12
[2]
半导体器件的制作方法和半导体器件 [P]. 
左明光 ;
朱宏斌 .
中国专利 :CN111244032A ,2020-06-05
[3]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211122B ,2024-05-21
[4]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121B ,2024-09-06
[5]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121A ,2020-05-29
[6]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211122A ,2020-05-29
[7]
半导体器件的制作方法以及半导体器件 [P]. 
郑阿曼 ;
伍术 .
中国专利 :CN114709169A ,2022-07-05
[8]
半导体器件的制作方法 [P]. 
孙正庆 ;
徐朋辉 .
中国专利 :CN112736035B ,2021-04-30
[9]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘云飞 .
中国专利 :CN110783342B ,2020-02-11
[10]
半导体器件制作方法及半导体器件 [P]. 
周玉 ;
刘天建 ;
胡胜 ;
赵长林 ;
胡杏 .
中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08
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