半导体器件的制作方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010232317.3
申请日
2020-03-27
公开(公告)号
CN111244032A
公开(公告)日
2020-06-05
发明(设计)人
左明光 朱宏斌
申请人
申请人地址
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23522 H01L23528
代理机构
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人
霍文娟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
吴双双 ;
张坤 ;
吴林春 .
中国专利 :CN114335001A ,2022-04-12
[2]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
吴林春 ;
张坤 ;
沈叮叮 ;
韩玉辉 ;
周文犀 .
中国专利 :CN115064549A ,2022-09-16
[3]
半导体器件和半导体器件制作方法 [P]. 
童小东 ;
邢利敏 .
中国专利 :CN113451394A ,2021-09-28
[4]
半导体器件和半导体器件的制作方法 [P]. 
宋化龙 .
中国专利 :CN104701164A ,2015-06-10
[5]
半导体器件和半导体器件的制作方法 [P]. 
廖淼 .
中国专利 :CN103915410A ,2014-07-09
[6]
半导体器件和半导体器件的制作方法 [P]. 
河田洋一 ;
小泉浩二 ;
杉山道昭 ;
藤嶋敦 ;
中岛靖之 ;
荻原孝俊 .
中国专利 :CN1237785A ,1999-12-08
[7]
半导体器件的制作方法和半导体器件 [P]. 
苏廷锜 ;
张峰溢 ;
蔡尚元 .
中国专利 :CN115249649B ,2025-10-31
[8]
半导体器件的制作方法和半导体器件 [P]. 
王仁里 ;
许祖英 ;
林盈志 .
中国专利 :CN115188660B ,2025-09-12
[9]
半导体器件的制作方法和半导体器件 [P]. 
李荣伟 .
中国专利 :CN114551600A ,2022-05-27
[10]
半导体器件和半导体器件的制作方法 [P]. 
刘浩文 ;
马万里 ;
闫正坤 .
中国专利 :CN119153537A ,2024-12-17