清洁半导体晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010002900.1

申请日：

2010-01-14

公开(公告)号：

CN101894738B

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

R·K·巴尔 C·占 M·L·莫恩翰

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L3118 B08B308

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陈哲锋;周承泽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	授权	授权
2016-07-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735262497 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL2010100029001 登记生效日:20160616 变更事项:专利权人变更前权利人:罗门哈斯电子材料有限公司变更后权利人:太阳化学公司变更事项:地址变更前权利人:美国马萨诸塞州变更后权利人:美国新泽西州
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101029376307 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2010100029001 申请日:20100114
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

清洁半导体晶片的方法 [P].

榛原照男 .

中国专利 :CN104550100A ,2015-04-29

[2]

清洁半导体晶片的方法 [P].

榛原照男 .

中国专利 :CN101745507A ,2010-06-23

[3]

清洁半导体晶片的方法 [P].

T·布施哈尔特 ;

C·扎皮柯 ;

D·费若 ;

G·施瓦布 .

中国专利 :CN101393863A ,2009-03-25

[4]

清洁半导体晶片的方法 [P].

英格丽德·林克 ;

德克·M·诺特 ;

吉伯特·P·A·诺伊 .

中国专利 :CN101405835A ,2009-04-08

[5]

使用清洁溶液清洁半导体晶片的方法 [P].

C·萨皮尔柯 ;

T·布施哈尔特 ;

D·费霍 ;

G·施瓦布 .

中国专利 :CN101337227B ,2009-01-07

[6]

半导体晶片的清洁和微蚀刻的方法 [P].

R·K·巴尔 ;

R·钱 .

中国专利 :CN102157355B ,2011-08-17

[7]

半导体晶片清洁系统 [P].

尹镇老 ;

金振泰 .

中国专利 :CN100495652C ,2008-05-14

[8]

清洁半导体晶片的装置和方法 [P].

吕寅准 ;

尹炳文 ;

金坰显 ;

河商录 ;

南廷林 ;

赵显镐 .

中国专利 :CN100336178C ,2003-10-29

[9]

清洁半导体晶片的方法和装置 [P].

王晖 ;

王坚 ;

马悦 ;

何川 .

中国专利 :CN101540269A ,2009-09-23

[10]

半导体晶片的制造方法及半导体晶片 [P].

牧野亮平 ;

熊田贵夫 ;

江户雅晴 ;

高木启史 .

中国专利 :CN104064444A ,2014-09-24

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