一种单层/少层MXene二维材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010037500.8

申请日：

2020-01-14

公开(公告)号：

CN111285359A

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

李能曾宪兵

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

C01B3219

IPC分类号：

H01M436 H01M4587 H01M100525

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

崔友明;闭钊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/19 申请日:20200114
2020-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MXene二维材料的制备方法及应用 [P].

周双 ;

方俊育 ;

苏耀荣 ;

吕林筱 ;

郭思仪 ;

韩培刚 .

中国专利 :CN113735124B ,2021-12-03

[2]

一种多孔MXene二维材料及其制备方法 [P].

杨诚 ;

梁斌 .

中国专利 :CN109573989A ,2019-04-05

[3]

一种二维量子片材料的量化制备方法 [P].

顾佳俊 ;

陈文书 ;

刘庆雷 ;

孙博雅 ;

程家麒 ;

张荻 .

中国专利 :CN110028102A ,2019-07-19

[4]

一种利用氨水插层、剥离二维晶体碳化钛纳米材料的方法 [P].

于云 ;

冯爱虎 ;

王勇 ;

江峰 ;

史智慧 ;

于洋 ;

米乐 ;

曹韫真 ;

宋力昕 .

中国专利 :CN106185936A ,2016-12-07

[5]

高能电击制备MXene二维材料及膨胀MAX材料的方法 [P].

方永正 ;

崔鹏辉 ;

曹殿学 ;

董澍 ;

朱凯 ;

周震 ;

潘科成 .

中国专利 :CN117800340A ,2024-04-02

[6]

一种在单层MXene纳米片制备二维介孔的方法和应用 [P].

刘庆雷 ;

陈新 ;

顾佳俊 ;

杨梦召 .

中国专利 :CN118515279A ,2024-08-20

[7]

一种快速制备二氧化锡‑二维碳化钛复合材料的方法 [P].

孙正明 ;

郑伟 ;

张培根 ;

王英 ;

田无边 ;

张亚梅 .

中国专利 :CN107293411A ,2017-10-24

[8]

一种控制MXene二维材料降解的方法 [P].

李介博 ;

胡明俊 ;

单光存 ;

覃儒展 .

中国专利 :CN109607603B ,2019-04-12

[9]

二维碳化钒MXene的制备方法 [P].

丛野 ;

关云锋 ;

李轩科 ;

董志军 ;

袁观明 ;

崔正威 ;

李艳军 ;

张江 .

中国专利 :CN109650391B ,2019-04-19

[10]

一种二维碳材料及其制备方法和用途 [P].

申仲荣 ;

胡艳杰 ;

张明 .

中国专利 :CN112850685A ,2021-05-28

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