高能电击制备MXene二维材料及膨胀MAX材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311829881.3

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN117800340A

公开(公告)日：

2024-04-02

发明(设计)人：

方永正崔鹏辉曹殿学董澍朱凯周震潘科成

申请人：

郑州大学

申请人地址：

450001 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

IPC主分类号：

C01B32/921

IPC分类号：

C01B32/914 B01J19/08 B82Y40/00 C01B32/90

代理机构：

郑州大通专利商标代理有限公司 41111

代理人：

蔡少华

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-02	公开	公开
2024-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 32/921申请日:20231228

共 50 条

[1]

高能电击氟化盐刻蚀秒级制备二维MXene材料的方法 [P].

方永正 ;

崔鹏辉 ;

曹殿学 ;

董澍 ;

朱凯 ;

周震 ;

刘一漾 .

中国专利 :CN117800339A ,2024-04-02

[2]

高能电击法辅助金属盐置换无氟制备二维MXene的方法 [P].

方永正 ;

崔鹏辉 ;

曹殿学 ;

董澍 ;

朱凯 ;

周震 ;

孔祥阳 .

中国专利 :CN117800338A ,2024-04-02

[3]

利用高能电击实现MXene材料表面终止基团快速改性的方法 [P].

方永正 ;

崔鹏辉 ;

曹殿学 ;

周震 ;

董树 .

中国专利 :CN118239488A ,2024-06-25

[4]

一种MXene二维材料的制备方法及应用 [P].

周双 ;

方俊育 ;

苏耀荣 ;

吕林筱 ;

郭思仪 ;

韩培刚 .

中国专利 :CN113735124B ,2021-12-03

[5]

一种二维层状MXene材料的制备方法 [P].

周卫兵 ;

刘磊 ;

朱远方 ;

朱教群 ;

李儒光 ;

张弘光 ;

李康 .

中国专利 :CN107098344A ,2017-08-29

[6]

一种多孔MXene二维材料及其制备方法 [P].

杨诚 ;

梁斌 .

中国专利 :CN109573989A ,2019-04-05

[7]

一种二维晶体MXene纳米材料的制备方法 [P].

于云 ;

冯爱虎 ;

王勇 ;

江峰 ;

于洋 ;

米乐 ;

宋力昕 .

中国专利 :CN106220180A ,2016-12-14

[8]

一种MXene二维材料及其制备方法和应用 [P].

刘宇 ;

胡军平 ;

刘宁 ;

刘勇红 .

中国专利 :CN111755685B ,2020-10-09

[9]

Cu-Mxene二维纳米片材料及其制备方法和应用 [P].

叶伟 ;

徐梦秋 .

中国专利 :CN115181989B ,2025-04-08

[10]

一种单层/少层MXene二维材料的制备方法 [P].

李能 ;

曾宪兵 .

中国专利 :CN111285359A ,2020-06-16

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