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用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880007156.9
申请日：
2018-01-12
公开(公告)号：
CN110178220A
公开(公告)日：
2019-08-27
发明(设计)人：
安德烈亚斯·普洛斯尔 西格弗里德·赫尔曼 马丁·鲁道夫·贝林格 弗兰克·辛格 托马斯·施瓦茨 亚历山大·F·普福伊费尔
申请人：
申请人地址：
德国雷根斯堡
IPC主分类号：
H01L25075
IPC分类号：
H01L3300 H01L3362
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
丁永凡;张春水
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-08-27 公开 公开
2019-09-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/075 申请日:20180112
共 50 条
[1]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
I·唐林 ;
G·林德伯格 ;
V·格林格 ;
S·霍普曼 .
中国专利 :CN114586183A ,2022-06-03
[2]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
于尔根·莫斯布格尔 ;
马库斯·平德尔 ;
西蒙·耶雷比奇 ;
弗兰克·辛格 .
中国专利 :CN105765731A ,2016-07-13
[3]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
K.魏德纳 ;
R韦尔特 ;
A.卡尔滕巴歇 ;
W.维格莱特 ;
B.巴希曼 ;
O.武茨 ;
J.马费尔德 .
中国专利 :CN102473814A ,2012-05-23
[4]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
弗兰克·辛格 ;
布丽塔·格厄特茨 ;
大卫·拉奇 ;
马蒂亚斯·斯佩尔 .
中国专利 :CN106796968B ,2017-05-31
[5]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
洛伦佐·齐尼 ;
托比亚斯·迈耶 .
中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23
[6]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
托马斯·施瓦茨 ;
弗兰克·辛格 ;
于尔根·莫斯布格尔 .
中国专利 :CN105594002A ,2016-05-18
[7]
用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P]. 
K.魏德纳 ;
R韦尔特 ;
A.卡尔滕巴歇 ;
W.维格莱特 ;
B.巴希曼 ;
O.武茨 ;
J.马费尔德 .
中国专利 :CN105826448A ,2016-08-03
[8]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
亚历山大·鲍姆加特纳 ;
马库斯·里希特 ;
汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔 ;
托尼·阿尔布雷希特 .
中国专利 :CN104854715B ,2015-08-19
[9]
光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P]. 
T·格布尔 ;
J·塞登法登 .
中国专利 :CN115552744A ,2022-12-30
[10]
制造光电子半导体器件的方法及光电子半导体器件 [P]. 
M·R·贝林格 ;
C·克莱姆 .
中国专利 :CN113544864A ,2021-10-22
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