用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480063974.2

申请日：

2014-10-23

公开(公告)号：

CN105765731A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

于尔根·莫斯布格尔马库斯·平德尔西蒙·耶雷比奇弗兰克·辛格

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L310203

IPC分类号：

H01L310232 H01L3118 H01L3300 H01L3346 H01L3360 H01L3350

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;周涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673503616 IPC(主分类):H01L 31/0203 专利申请号:2014800639742 申请日:20141023
2020-10-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/46 申请日:20141023 授权公告日:20180116 终止日期:20191023
2018-01-16	授权	授权
2016-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

弗兰克·辛格 ;

布丽塔·格厄特茨 ;

大卫·拉奇 ;

马蒂亚斯·斯佩尔 .

中国专利 :CN106796968B ,2017-05-31

[2]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

I·唐林 ;

G·林德伯格 ;

V·格林格 ;

S·霍普曼 .

中国专利 :CN114586183A ,2022-06-03

[3]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

K.魏德纳 ;

R韦尔特 ;

A.卡尔滕巴歇 ;

W.维格莱特 ;

B.巴希曼 ;

O.武茨 ;

J.马费尔德 .

中国专利 :CN102473814A ,2012-05-23

[4]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

[5]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

托马斯·施瓦茨 ;

弗兰克·辛格 ;

于尔根·莫斯布格尔 .

中国专利 :CN105594002A ,2016-05-18

[6]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

K.魏德纳 ;

R韦尔特 ;

A.卡尔滕巴歇 ;

W.维格莱特 ;

B.巴希曼 ;

O.武茨 ;

J.马费尔德 .

中国专利 :CN105826448A ,2016-08-03

[7]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

安德烈亚斯·普洛斯尔 ;

西格弗里德·赫尔曼 ;

马丁·鲁道夫·贝林格 ;

弗兰克·辛格 ;

托马斯·施瓦茨 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 .

中国专利 :CN110178220A ,2019-08-27

[8]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

亚历山大·鲍姆加特纳 ;

马库斯·里希特 ;

汉斯-克里斯托弗·加尔迈尔 ;

托尼·阿尔布雷希特 .

中国专利 :CN104854715B ,2015-08-19

[9]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN105637636A ,2016-06-01

[10]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

T·格布尔 ;

J·塞登法登 .

中国专利 :CN115552744A ,2022-12-30

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