用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480057339.3

申请日：

2014-09-02

公开(公告)号：

CN105637636A

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

卢茨·赫佩尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L3300 H01L3362

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-12	授权	授权
2016-06-01	公开	公开
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667888498 IPC(主分类):H01L 25/16 专利申请号:2014800573393 申请日:20140902

共 50 条

[1]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN111328431A ,2020-06-23

[2]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

赖纳·温迪施 ;

彼得·布里克 .

德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01

[3]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

于尔根·奥弗 ;

马里安·卡利布 .

德国专利 :CN121080144A ,2025-12-05

[4]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

赫尔穆特·菲舍尔 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN103392241A ,2013-11-13

[5]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[6]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

西梅昂·卡茨 ;

卡伊·格尔克 ;

马西莫·德拉戈 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107810564A ,2018-03-16

[7]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

马库斯·平德尔 ;

西蒙·耶雷比奇 ;

弗兰克·辛格 .

中国专利 :CN105765731A ,2016-07-13

[8]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

弗兰克·辛格 ;

布丽塔·格厄特茨 ;

大卫·拉奇 ;

马蒂亚斯·斯佩尔 .

中国专利 :CN106796968B ,2017-05-31

[9]

光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法 [P].

卢茨·赫佩尔 ;

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN102473810B ,2012-05-23

[10]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

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