光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880072866.X

申请日：

2018-11-05

公开(公告)号：

CN111328431A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

彼得鲁斯·松德格伦

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3308

IPC分类号：

H01L2715

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	公开	公开
2020-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/08 申请日:20181105

共 50 条

[1]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

赖纳·温迪施 ;

彼得·布里克 .

德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01

[2]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[3]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

[4]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN105637636A ,2016-06-01

[5]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

于尔根·奥弗 ;

马里安·卡利布 .

德国专利 :CN121080144A ,2025-12-05

[6]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

赫尔穆特·菲舍尔 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN103392241A ,2013-11-13

[7]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

布丽塔·格厄茨 ;

诺温·文·马尔姆 .

中国专利 :CN110491983A ,2019-11-22

[8]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

西梅昂·卡茨 ;

卡伊·格尔克 ;

马西莫·德拉戈 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107810564A ,2018-03-16

[9]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

弗兰克·辛格 ;

布丽塔·格厄特茨 ;

大卫·拉奇 ;

马蒂亚斯·斯佩尔 .

中国专利 :CN106796968B ,2017-05-31

[10]

光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法 [P].

卢茨·赫佩尔 ;

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN102473810B ,2012-05-23

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