光电子半导体器件和用于制造无机光电子半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080029752.0

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN102473810B

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

卢茨·赫佩尔诺温·文马尔姆

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3340

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王萍;陈炜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282312858 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2010800297520 申请日:20100610
2012-05-23	公开	公开
2015-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN111328431A ,2020-06-23

[2]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

赖纳·温迪施 ;

彼得·布里克 .

德国专利 :CN120240012A ,2025-07-01

[3]

用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 [P].

卢茨·赫佩尔 .

中国专利 :CN105637636A ,2016-06-01

[4]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

于尔根·奥弗 ;

马里安·卡利布 .

德国专利 :CN121080144A ,2025-12-05

[5]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

赫尔穆特·菲舍尔 ;

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN103392241A ,2013-11-13

[6]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[7]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

西梅昂·卡茨 ;

卡伊·格尔克 ;

马西莫·德拉戈 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107810564A ,2018-03-16

[8]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

托比亚斯·迈耶 .

中国专利 :CN105190920A ,2015-12-23

[9]

用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

L.赫佩尔 .

中国专利 :CN107112386A ,2017-08-29

[10]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

布丽塔·格厄茨 ;

诺温·文·马尔姆 .

中国专利 :CN110491983A ,2019-11-22

← 1 2 3 4 5 →