薄膜电阻结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810099311.2

申请日：

2008-05-09

公开(公告)号：

CN101577159A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

陈友忠李鸿坤翁荣洲

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹县

IPC主分类号：

H01C700

IPC分类号：

H01C1706 H05K116 H05K330 H05K346

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-11-11	公开	公开
2011-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜电阻结构及其制造方法 [P].

陈友忠 ;

李鸿坤 ;

翁荣洲 .

中国专利 :CN101399101B ,2009-04-01

[2]

薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法 [P].

付治屯 ;

刘德波 ;

彭勤卫 .

中国专利 :CN104711455A ,2015-06-17

[3]

薄膜电阻及其制造方法 [P].

萧胜利 ;

施伯勋 ;

林广成 .

中国专利 :CN120511128A ,2025-08-19

[4]

薄膜电阻及其制造方法 [P].

萧胜利 ;

施伯勋 ;

林广成 .

中国专利 :CN120452962A ,2025-08-08

[5]

薄膜电阻元件及其制造方法 [P].

佐藤清 .

中国专利 :CN1216385C ,2003-01-22

[6]

薄膜电阻元件及其制造方法 [P].

温文莹 ;

赵基宏 ;

蔡政原 .

中国专利 :CN107895758A ,2018-04-10

[7]

薄膜电阻元件及其制造方法 [P].

陈仲渝 ;

卢契佑 .

中国专利 :CN112992447A ,2021-06-18

[8]

电阻元件及其制造方法 [P].

王钟雄 ;

生田英雄 ;

朱武良 ;

林彦霆 ;

郭至圣 ;

廖玟雄 .

中国专利 :CN101673602B ,2010-03-17

[9]

金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 [P].

大迫敏行 ;

佐藤岩 ;

森本敏夫 .

中国专利 :CN1614059A ,2005-05-11

[10]

薄膜电阻温度传感器及其制造方法 [P].

董述恂 ;

龙峰洲 .

中国专利 :CN1184462C ,2003-07-30

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