薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310690435.9

申请日：

2013-12-16

公开(公告)号：

CN104711455A

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

付治屯刘德波彭勤卫

申请人：

申请人地址：

518053 广东省深圳市南山区侨城东路99号

IPC主分类号：

C22C1903

IPC分类号：

C22C1905 H01C700 H01C17075

代理机构：

深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285

代理人：

唐华明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616809825 IPC(主分类):C22C 19/03 专利申请号:2013106904359 申请日:20131216
2017-09-08	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758842979 IPC(主分类):C22C 19/03 专利号:ZL2013106904359 变更事项:专利权人变更前:深南电路有限公司变更后:深南电路股份有限公司变更事项:地址变更前:518053 广东省深圳市南山区侨城东路99号变更后:518053 广东省深圳市南山区侨城东路99号
2017-08-01	授权	授权
2015-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种薄膜电阻材料及其制备方法 [P].

赖莉飞 ;

王金霞 ;

汪金芝 ;

鲍明东 .

中国专利 :CN104988358A ,2015-10-21

[2]

金属电阻材料、溅射靶材、电阻薄膜及其制造方法 [P].

大迫敏行 ;

佐藤岩 ;

森本敏夫 .

中国专利 :CN1614059A ,2005-05-11

[3]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104A ,2025-01-28

[4]

一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料及制备方法 [P].

徐永兵 ;

王灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN119381104B ,2025-11-14

[5]

薄膜电阻结构及其制造方法 [P].

陈友忠 ;

李鸿坤 ;

翁荣洲 .

中国专利 :CN101577159A ,2009-11-11

[6]

薄膜电阻结构及其制造方法 [P].

陈友忠 ;

李鸿坤 ;

翁荣洲 .

中国专利 :CN101399101B ,2009-04-01

[7]

CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

江剑 ;

习艳军 .

中国专利 :CN118843391A ,2024-10-25

[8]

高性能薄膜电阻及其制备方法 [P].

邓朝勇 ;

雷远清 ;

崔瑞瑞 ;

张荣芬 .

中国专利 :CN102314978A ,2012-01-11

[9]

金属薄膜电阻及其制备方法 [P].

林昭宏 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN119584552A ,2025-03-07

[10]

金属薄膜电阻及其制备方法 [P].

林昭宏 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN119584552B ,2025-11-07

← 1 2 3 4 5 →