金属薄膜电阻及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411610171.6

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN119584552B

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

林昭宏黄仁德

申请人：

重庆芯联微电子有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153

IPC主分类号：

H10D1/47

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

贺妮妮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	授权	授权
2025-03-07	公开	公开
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/47申请日:20241112

共 50 条

[1]

金属薄膜电阻及其制备方法 [P].

林昭宏 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN119584552A ,2025-03-07

[2]

片上金属薄膜电阻的制备方法 [P].

杨女燕 ;

李建婷 ;

李蓉 ;

颜士义 ;

李东明 .

中国专利 :CN117854864A ,2024-04-09

[3]

金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和制造方法 [P].

刘建 ;

税国华 ;

刘青 ;

胡镜影 ;

王飞 ;

阚玲 .

中国专利 :CN110993582B ,2020-04-10

[4]

薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法 [P].

付治屯 ;

刘德波 ;

彭勤卫 .

中国专利 :CN104711455A ,2015-06-17

[5]

一种金属薄膜电阻结构及其制造方法 [P].

左青云 ;

康晓旭 ;

曾少海 .

中国专利 :CN102324427B ,2012-01-18

[6]

集成电路上的金属薄膜电阻及其制作方法 [P].

彭虎 .

中国专利 :CN102136473A ,2011-07-27

[7]

一种金属薄膜体电阻 [P].

钟怡 ;

何开全 ;

刘玉奎 .

中国专利 :CN101436591A ,2009-05-20

[8]

高性能薄膜电阻及其制备方法 [P].

邓朝勇 ;

雷远清 ;

崔瑞瑞 ;

张荣芬 .

中国专利 :CN102314978A ,2012-01-11

[9]

热喷涂薄膜电阻及其制备方法 [P].

T·J·马丁 ;

C·史密斯 ;

J·特莱科夫 .

中国专利 :CN107109613A ,2017-08-29

[10]

氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

马飞 ;

莫炯炯 ;

蔡全福 ;

魏婷婷 .

中国专利 :CN112562946A ,2021-03-26

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