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CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411321824.9
申请日：
2024-09-23
公开(公告)号：
CN118843391A
公开(公告)日：
2024-10-25
发明(设计)人：
陈茗岐
江剑
习艳军
申请人：
粤芯半导体技术股份有限公司
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号：
H10N97/00
IPC分类号：
H01L21/67
代理机构：
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884
代理人：
陈照辉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
广州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-11-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 97/00申请日:20240923 |
| 2025-07-18 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H10N 97/00申请公布日:20241025 |
| 2024-10-25 | 公开 | 公开 |