一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510546267.9

申请日：

2025-04-28

公开(公告)号：

CN120076346A

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

陈茗岐习艳军

申请人：

粤芯半导体技术股份有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H10D1/47

IPC分类号：

代理机构：

北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884

代理人：

林欣欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/47申请日:20250428
2025-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

江剑 ;

习艳军 .

中国专利 :CN118843391A ,2024-10-25

[2]

CrSi薄膜电阻制备方法、电阻器件制备方法及电阻器件 [P].

陈厚余 ;

刘玉荣 ;

李振文 ;

张拥华 .

中国专利 :CN119768045A ,2025-04-04

[3]

一种CrSi2薄膜电阻及其激光修调方法 [P].

杨小爱 ;

袁忠文 ;

王勇 .

中国专利 :CN109872853B ,2019-06-11

[4]

薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法 [P].

付治屯 ;

刘德波 ;

彭勤卫 .

中国专利 :CN104711455A ,2015-06-17

[5]

薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻 [P].

余梦霖 ;

肖金玉 ;

张华刚 ;

李琳 .

中国专利 :CN111009512A ,2020-04-14

[6]

一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻 [P].

林荣富 ;

关志锋 ;

李超谋 .

中国专利 :CN109378147A ,2019-02-22

[7]

薄膜电阻层制备方法 [P].

邱正中 ;

卢契佑 .

中国专利 :CN113445012A ,2021-09-28

[8]

一种薄膜电阻的制备方法 [P].

赵宽 ;

卢云地 ;

张殿武 ;

华启国 ;

李传友 ;

刘海庆 ;

宋春雨 ;

毛鑫宇 .

中国专利 :CN119207929A ,2024-12-27

[9]

一种薄膜电阻的制备方法 [P].

丁永强 ;

董宗谕 .

中国专利 :CN120936083A ,2025-11-11

[10]

一种薄膜电阻的制备方法 [P].

左青云 ;

康晓旭 ;

李铭 .

中国专利 :CN108598259A ,2018-09-28

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