一种薄膜电阻的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411417071.1

申请日：

2024-10-11

公开(公告)号：

CN119207929A

公开(公告)日：

2024-12-27

发明(设计)人：

赵宽卢云地张殿武华启国李传友刘海庆宋春雨毛鑫宇

申请人：

安徽天康（集团）股份有限公司

申请人地址：

239300 安徽省滁州市天长市仁和南路20号天康集团

IPC主分类号：

H01C17/28

IPC分类号：

代理机构：

南京众联专利代理有限公司 32206

代理人：

郭君兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省滁州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01C 17/28申请日:20241011
2024-12-27	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法 [P].

付治屯 ;

刘德波 ;

彭勤卫 .

中国专利 :CN104711455A ,2015-06-17

[2]

一种薄膜电阻的制备方法 [P].

丁永强 ;

董宗谕 .

中国专利 :CN120936083A ,2025-11-11

[3]

一种薄膜电阻的制备方法 [P].

左青云 ;

康晓旭 ;

李铭 .

中国专利 :CN108598259A ,2018-09-28

[4]

一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

习艳军 .

中国专利 :CN120076346A ,2025-05-30

[5]

一种热敏薄膜电阻的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106782965A ,2017-05-31

[6]

一种薄膜电阻的制备方法及半导体器件 [P].

马佳玉 ;

曾海 .

中国专利 :CN119866177A ,2025-04-22

[7]

一种薄膜阻容网络中薄膜电阻的制备方法 [P].

赖辉信 ;

伍剑文 ;

韦玉丙 ;

陈美媚 ;

李畅霖 .

中国专利 :CN115354278A ,2022-11-18

[8]

一种曲面薄膜电阻的制备方法 [P].

刘镜波 ;

张怡 ;

王天石 ;

王瑞俊 ;

王楠 ;

张义萍 ;

王亮 ;

刘颖 ;

杜小东 ;

王庆兵 ;

金涛 ;

付银辉 ;

杨显涛 .

中国专利 :CN115512919A ,2022-12-23

[9]

一种取向热敏薄膜电阻的制备方法 [P].

徐金宝 ;

熊信谦 ;

王红光 ;

王磊 ;

边亮 .

中国专利 :CN104003724A ,2014-08-27

[10]

CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

江剑 ;

习艳军 .

中国专利 :CN118843391A ,2024-10-25

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