一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811444793.0

申请日：

2018-11-29

公开(公告)号：

CN109378147A

公开(公告)日：

2019-02-22

发明(设计)人：

林荣富关志锋李超谋

申请人：

申请人地址：

519170 广东省珠海市斗门区乾务镇富山工业园富山三路1号

IPC主分类号：

H01C720

IPC分类号：

H01C700 H01C17235 H01C17242

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

卢泽明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01C 7/20 申请日:20181129
2019-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

调整薄膜电阻阻值的组件 [P].

林茂 ;

李艳国 ;

陈蓓 .

中国专利 :CN208861751U ,2019-05-14

[2]

薄膜电阻阻值调整方法及系统、PCB电路板、印制设备 [P].

林荣富 ;

郑李娟 ;

王成勇 ;

关志锋 ;

唐有军 .

中国专利 :CN115691918A ,2023-02-03

[3]

薄膜电阻阻值调整方法及系统、PCB电路板、印制设备 [P].

林荣富 ;

郑李娟 ;

王成勇 ;

关志锋 ;

唐有军 .

中国专利 :CN115691918B ,2025-11-18

[4]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[5]

一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法 [P].

折宇 ;

陈宝忠 ;

刘存生 ;

史泽堃 ;

赵沫沫 ;

赵杰 ;

王成熙 ;

姚晓军 .

中国专利 :CN120854302A ,2025-10-28

[6]

薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻 [P].

余梦霖 ;

肖金玉 ;

张华刚 ;

李琳 .

中国专利 :CN111009512A ,2020-04-14

[7]

CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

江剑 ;

习艳军 .

中国专利 :CN118843391A ,2024-10-25

[8]

一种CrSi薄膜电阻制备方法及CrSi薄膜电阻 [P].

陈茗岐 ;

习艳军 .

中国专利 :CN120076346A ,2025-05-30

[9]

一种高精度阻值的薄膜电阻生产方法 [P].

施宏泽 ;

王腾慰 ;

孙丽娜 ;

吴术爱 ;

廖冬梅 ;

陈康康 ;

黄金玉 ;

靳薇薇 .

中国专利 :CN119920554A ,2025-05-02

[10]

一种高精度阻值的薄膜电阻生产方法 [P].

施宏泽 ;

王腾慰 ;

孙丽娜 ;

吴术爱 ;

廖冬梅 ;

陈康康 ;

黄金玉 ;

靳薇薇 .

中国专利 :CN119920554B ,2025-08-08

← 1 2 3 4 5 →