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薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811167760.6
申请日
:
2018-10-08
公开(公告)号
:
CN111009512A
公开(公告)日
:
2020-04-14
发明(设计)人
:
余梦霖
肖金玉
张华刚
李琳
申请人
:
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
:
H01L2364
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
:
董巍;高伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-04-14
公开
公开
2020-05-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20181008
共 50 条
[1]
薄膜电阻的制造方法
[P].
蔡承琪
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蔡承琪
;
陈文生
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陈文生
;
庄弘毅
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庄弘毅
;
江财宝
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江财宝
.
中国专利
:CN1581370A
,2005-02-16
[2]
薄膜电阻元件及其制造方法
[P].
温文莹
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温文莹
;
赵基宏
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赵基宏
;
蔡政原
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蔡政原
.
中国专利
:CN107895758A
,2018-04-10
[3]
薄膜电阻结构及其制造方法
[P].
陈友忠
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陈友忠
;
李鸿坤
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李鸿坤
;
翁荣洲
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翁荣洲
.
中国专利
:CN101399101B
,2009-04-01
[4]
金属薄膜电阻、应用金属薄膜电阻的集成电路和制造方法
[P].
刘建
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刘建
;
税国华
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税国华
;
刘青
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刘青
;
胡镜影
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胡镜影
;
王飞
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王飞
;
阚玲
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阚玲
.
中国专利
:CN110993582B
,2020-04-10
[5]
薄膜电阻及其制造方法
[P].
萧胜利
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
萧胜利
;
施伯勋
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
施伯勋
;
林广成
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
林广成
.
中国专利
:CN120511128A
,2025-08-19
[6]
薄膜电阻及其制造方法
[P].
萧胜利
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
萧胜利
;
施伯勋
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
施伯勋
;
林广成
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机构:
国巨股份有限公司
国巨股份有限公司
林广成
.
中国专利
:CN120452962A
,2025-08-08
[7]
微波薄膜电阻器、微波薄膜电阻网络模块及其制造方法
[P].
程超
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程超
;
庄严
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庄严
.
中国专利
:CN101533693A
,2009-09-16
[8]
薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法
[P].
罗彦军
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罗彦军
;
芮家群
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芮家群
;
韩玉成
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韩玉成
;
郑奔
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郑奔
;
程德雁
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程德雁
;
希毅
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希毅
;
侯本昌
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侯本昌
.
中国专利
:CN107086103B
,2017-08-22
[9]
薄膜电阻材料、薄膜电阻及其制备方法
[P].
付治屯
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付治屯
;
刘德波
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刘德波
;
彭勤卫
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彭勤卫
.
中国专利
:CN104711455A
,2015-06-17
[10]
薄膜电阻器的制造方法
[P].
叶德强
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叶德强
;
匡训沖
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匡训沖
;
刘铭棋
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刘铭棋
;
喻中一
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喻中一
;
赵治平
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赵治平
;
亚历山大·卡尼斯基
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亚历山大·卡尼斯基
.
中国专利
:CN102129900A
,2011-07-20
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