金属氧化物以及包含金属氧化物的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980016347.6

申请日：

2019-02-28

公开(公告)号：

CN112005383A

公开(公告)日：

2020-11-27

发明(设计)人：

山崎舜平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336 H01L218239 H01L218242 H01L27105 C01G1500 H01L27108 H01L271156 H01L29417 H01L29423 H01L2949 H01L29788 H01L29792

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

金属氧化物以及包含金属氧化物的晶体管 [P].

金川朋贤 ;

高桥正弘 .

中国专利 :CN113906570A ,2022-01-07

[2]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[3]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[4]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[5]

金属氧化物半场效晶体管 [P].

陈柏安 ;

潘钦寒 .

中国专利 :CN102867853B ,2013-01-09

[6]

金属氧化物薄膜晶体管 [P].

叶佳俊 ;

王裕霖 ;

蔡学宏 ;

王旨玄 .

中国专利 :CN103035734A ,2013-04-10

[7]

横向扩散金属氧化物晶体管 [P].

张智毅 ;

孙兴华 ;

龙赞伦 ;

邱振铭 .

中国专利 :CN100592533C ,2009-04-22

[8]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[9]

金属氧化物半导体晶体管控制 [P].

皮埃尔·萨达特 .

中国专利 :CN101147323A ,2008-03-19

[10]

金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

李名镇 ;

郑道 ;

杨明宗 .

中国专利 :CN101771078A ,2010-07-07

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	公开	公开
2021-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20190228