极窄回滞曲线宽度高电阻温度系数二氧化钒薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210180294.1

申请日：

2012-06-02

公开(公告)号：

CN102703873A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

徐晓峰何鑫峰汪海旸陈效双褚君浩

申请人：

申请人地址：

201620 上海市松江区人民北路2999号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1418 C23C1458

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司 31001

代理人：

翁若莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353321876 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2012101802941 申请日:20120602
2017-07-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101735963436 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2012101802941 申请日:20120602 授权公告日:20131113 终止日期:20160602
2012-10-03	公开	公开
2013-11-13	授权	授权

共 50 条

[1]

超薄二氧化钒薄膜的简易制备方法 [P].

徐晓峰 ;

桑景新 ;

蒙奕帆 ;

王游 ;

华志威 ;

郑探 .

中国专利 :CN110284104A ,2019-09-27

[2]

一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜的制备方法 [P].

赖建军 ;

何少伟 ;

戴君 ;

易新建 .

中国专利 :CN101626047A ,2010-01-13

[3]

室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法 [P].

李金华 ;

袁宁一 .

中国专利 :CN1800440A ,2006-07-12

[4]

一种高电阻温度系数二氧化钒薄膜及其低温沉积方法 [P].

曹逊 ;

金平实 ;

孙光耀 ;

李荣 .

中国专利 :CN108070835B ,2018-05-25

[5]

一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法 [P].

韦良忠 ;

朱汪龙 ;

刘燕 ;

陈黎明 .

中国专利 :CN103882389A ,2014-06-25

[6]

热滞回线可调控的二氧化钒薄膜的制备方法 [P].

储新宏 ;

张小明 ;

郭兵锋 ;

刘健平 ;

余济海 ;

陶海征 ;

梁瑞 .

中国专利 :CN112331555A ,2021-02-05

[7]

二氧化钒薄膜及其制备方法 [P].

黄富强 ;

丁尚军 ;

李德增 ;

赵伟 .

中国专利 :CN102383114A ,2012-03-21

[8]

一种二氧化钒薄膜制备方法 [P].

王少伟 ;

刘星星 ;

陆卫 ;

俞立明 ;

陈飞良 ;

陈效双 .

中国专利 :CN104032278A ,2014-09-10

[9]

二氧化钒薄膜及其制备方法 [P].

武传宝 ;

王允威 .

中国专利 :CN118545917A ,2024-08-27

[10]

一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 [P].

张立春 ;

王国伟 ;

张宇 ;

徐应强 ;

倪海桥 ;

牛智川 .

中国专利 :CN104611670A ,2015-05-13

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