通过外延沉积的硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280037177.8

申请日：

2012-05-29

公开(公告)号：

CN103748791A

公开(公告)日：

2014-04-23

发明(设计)人：

V·斯瓦拉马克瑞希楠 T·S·拉维 A·卡祖巴 Q·V·特鲁翁 J·R·瓦特斯

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H03K19195

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

朱立鸣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-23	授权	授权
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583153311 IPC(主分类):H03K 19/195 专利申请号:2012800371778 申请日:20120529
2014-04-23	公开	公开
2018-06-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K 19/195 申请日:20120529 授权公告日:20161123 终止日期:20170529

共 50 条

[1]

在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法 [P].

V·斯瓦拉马克瑞希楠 ;

T·S·拉维 ;

A·卡祖巴 ;

Q·V·特鲁翁 ;

J·R·瓦特斯 .

中国专利 :CN107022789B ,2017-08-08

[2]

外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P].

野中直哉 ;

川岛正 ;

大久保胜也 .

中国专利 :CN109791878A ,2019-05-21

[3]

外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P].

古谷和也 ;

小野敏昭 ;

鸟越和尚 .

日本专利 :CN117747417A ,2024-03-22

[4]

外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P].

野中直哉 ;

川岛正 ;

沟上宪一 .

中国专利 :CN110603350B ,2019-12-20

[5]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

日本专利 :CN113544817B ,2024-07-09

[6]

外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法 [P].

古谷和也 ;

小野敏昭 ;

鸟越和尚 .

中国专利 :CN109891552A ,2019-06-14

[7]

外延硅晶片的制造方法和外延硅晶片 [P].

楢原和宏 ;

增田纯久 .

中国专利 :CN104584191B ,2015-04-29

[8]

外延硅晶片的制备方法及外延硅晶片 [P].

鸟越和尚 ;

小野敏昭 .

中国专利 :CN106062926A ,2016-10-26

[9]

硅外延晶片的制造方法和硅外延晶片 [P].

石桥昌幸 ;

M·吉田 ;

丸冈大介 .

中国专利 :CN113544817A ,2021-10-22

[10]

外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P].

川岛正 ;

野中直哉 .

中国专利 :CN111128696A ,2020-05-08

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