氧化物陶瓷材料及其多层基片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98119510.5

申请日：

1998-09-18

公开(公告)号：

CN1212245A

公开(公告)日：

1999-03-31

发明(设计)人：

井上修菅谷康博加藤纯一

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

C04B3510

IPC分类号：

H01B312 H01B100

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

刘立平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-03-31	公开	公开
2002-05-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
1999-02-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块 [P].

井上修 ;

原田健史 ;

奥山浩二郎 .

中国专利 :CN100336771C ,2004-09-01

[2]

氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块 [P].

井上修 ;

原田健史 ;

奥山浩二郎 .

中国专利 :CN1915900A ,2007-02-21

[3]

一种高导热氧化物陶瓷材料及其制备方法 [P].

单喆恺 .

中国专利 :CN104276815B ,2015-01-14

[4]

低烧氧化物介电压敏陶瓷材料及其制备方法 [P].

林元华 ;

袁健聪 ;

南策文 .

中国专利 :CN101955355A ,2011-01-26

[5]

金属氧化物稳定的氧化锆陶瓷材料 [P].

申文琴 ;

弗朗茨·佩佐尔德 ;

凯伦·莉比 ;

韦恩·特贝维尔 ;

马修·珀塞尔 ;

马克·博恩 .

中国专利 :CN106458768A ,2017-02-22

[6]

具有交换偏置反转的稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 [P].

王磊 ;

张莉丽 ;

钟震晨 ;

钟明龙 ;

熊厚冬 ;

谭秋兰 .

中国专利 :CN108117390A ,2018-06-05

[7]

一种缺氧型氧化物陶瓷材料及制备方法 [P].

张新房 ;

陈佳凤 ;

张润畦 ;

梁艺涵 ;

周梦程 ;

黄孝山 .

中国专利 :CN119430921A ,2025-02-14

[8]

具室温交换偏置的单相稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 [P].

王磊 ;

张莉丽 ;

钟震晨 ;

钟明龙 ;

熊厚冬 ;

谭秋兰 .

中国专利 :CN108129147A ,2018-06-08

[9]

一种氧化物颗粒优化钽酸镍陶瓷材料及其应用 [P].

冯晶 ;

陈琳 ;

王建坤 ;

张陆洋 ;

李柏辉 ;

荣菊 ;

王刚 ;

赵世贤 ;

粱鹏鹏 ;

李红霞 .

中国专利 :CN114195515B ,2022-03-18

[10]

一种抗热冲击氧化物透波陶瓷材料及其制备方法 [P].

周军 ;

张大海 ;

张敬义 ;

刘晓明 ;

张娟 ;

曹淑伟 .

中国专利 :CN112341170B ,2021-02-09

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