具室温交换偏置的单相稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711468592.X

申请日：

2017-12-29

公开(公告)号：

CN108129147A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

王磊张莉丽钟震晨钟明龙熊厚冬谭秋兰

申请人：

申请人地址：

341000 江西省赣州市章贡区红旗大道86号

IPC主分类号：

C04B3550

IPC分类号：

C04B3564

代理机构：

赣州凌云专利事务所 36116

代理人：

曾上

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/50 申请日:20171229
2021-01-08	授权	授权
2018-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有交换偏置反转的稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 [P].

王磊 ;

张莉丽 ;

钟震晨 ;

钟明龙 ;

熊厚冬 ;

谭秋兰 .

中国专利 :CN108117390A ,2018-06-05

[2]

一种调控磁化反转和交换偏置的稀土氧化物陶瓷材料及其制备方法 [P].

王磊 ;

赵康 ;

胡义峰 ;

董韦韦 ;

徐峰 ;

罗锋 .

中国专利 :CN118005388A ,2024-05-10

[3]

氧化物陶瓷材料及其多层基片 [P].

井上修 ;

菅谷康博 ;

加藤纯一 .

中国专利 :CN1212245A ,1999-03-31

[4]

低烧氧化物介电压敏陶瓷材料及其制备方法 [P].

林元华 ;

袁健聪 ;

南策文 .

中国专利 :CN101955355A ,2011-01-26

[5]

类钙钛矿型稀土掺杂高熵氧化物荧光陶瓷材料及制备方法 [P].

胡万彪 ;

夏雷 ;

谢继阳 ;

王鑫 .

中国专利 :CN115304373A ,2022-11-08

[6]

稀土氧化物发光材料及其制备方法 [P].

周明杰 ;

刘军 ;

马文波 .

中国专利 :CN102382644B ,2012-03-21

[7]

添加稀土氧化物的硼化锆-碳化硅复相陶瓷材料及其制备方法 [P].

郭伟明 ;

杨振国 .

中国专利 :CN102976760A ,2013-03-20

[8]

复合稀土氧化物掺杂的氧化锌压敏陶瓷材料 [P].

施利毅 ;

徐东 ;

钟庆东 ;

巫欣欣 ;

吴振红 .

中国专利 :CN101279844A ,2008-10-08

[9]

一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法 [P].

陆亚林 ;

黄妍 ;

彭冉冉 ;

傅正平 ;

翟晓芳 .

中国专利 :CN104761252B ,2015-07-08

[10]

稀土氧化物次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

刘伟 .

中国专利 :CN1632897A ,2005-06-29

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