一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710934007.4
申请日
2017-10-10
公开(公告)号
CN107591452A
公开(公告)日
2018-01-16
发明(设计)人
朱袁正 周永珍
申请人
申请人地址
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号(与华清路交叉口)无锡(滨湖)国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人
曹祖良
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种晶圆级功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周永珍 .
中国专利 :CN107591452B ,2024-03-12
[2]
一种晶圆级功率半导体器件 [P]. 
朱袁正 ;
周永珍 .
中国专利 :CN207250527U ,2018-04-17
[3]
沟槽栅功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
罗海辉 ;
姚尧 ;
肖强 ;
肖海波 ;
覃荣震 ;
谭灿健 .
中国专利 :CN113066861A ,2021-07-02
[4]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN107611169A ,2018-01-19
[5]
一种功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
周锦程 ;
叶鹏 ;
刘晶晶 .
中国专利 :CN107611169B ,2024-09-06
[6]
功率半导体器件及其制作方法 [P]. 
罗志云 ;
潘梦瑜 ;
王飞 .
中国专利 :CN113113472A ,2021-07-13
[7]
晶圆及其制作方法、半导体器件 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112151368A ,2020-12-29
[8]
晶圆及其制作方法、半导体器件 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112151439A ,2020-12-29
[9]
晶圆及其制作方法、半导体器件 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112151439B ,2025-05-30
[10]
晶圆及其制作方法、半导体器件 [P]. 
吴秉桓 .
中国专利 :CN112151368B ,2025-05-30